心理咨詢師考試知識(shí)點(diǎn)詳解:記憶痕跡理論的主要觀點(diǎn)及實(shí)驗(yàn)
記憶痕跡理論的主要觀點(diǎn)及實(shí)驗(yàn)
60-70年代間形成的記憶理論,將人腦內(nèi)的記憶過程大體分為兩類,即短時(shí)記憶和長時(shí)記憶。前者的腦機(jī)制為神經(jīng)回路中生物電反響振蕩;后者的神經(jīng)生物學(xué)基礎(chǔ),是生物化學(xué)與突觸結(jié)構(gòu)形態(tài)的變化。這就是盛行20多年的記憶痕跡理論。
逆行性遺忘癥:病人對早年發(fā)生過的事情仍保持良好的記憶,而對電休克治療之前發(fā)生的事情卻完全遺忘,這種僅對最近事情的選擇性遺忘叫……
△實(shí)驗(yàn):首先訓(xùn)練動(dòng)物完成主動(dòng)躲避條件反應(yīng)或被動(dòng)躲避條件反應(yīng),然后對動(dòng)物進(jìn)行電抽搐處理,再檢查電抽搐之前,習(xí)得行為保持的程度。改變習(xí)得行為訓(xùn)練和電抽搐處理之間的間隔,從數(shù)秒鐘至數(shù)十秒乃至幾小時(shí),考察間隔時(shí)間不同與短時(shí)記憶喪失之間的關(guān)系。結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著兩者間隔時(shí)間的延長,電抽搐對短時(shí)記憶的干擾作用明顯變?nèi),間隔1小時(shí)以上則電抽搐已不影響記憶。這種結(jié)果成為記憶痕跡理論最初的有力證據(jù)。它說明短時(shí)記憶很不穩(wěn)定,易受電抽搐的干擾,經(jīng)過1小時(shí)以后,記憶已經(jīng)鞏固,不再受電抽搐的影響,此時(shí)發(fā)生了質(zhì)的變化,從短時(shí)記憶變?yōu)殚L時(shí)記憶。1小時(shí)的時(shí)間是短時(shí)記憶痕跡轉(zhuǎn)變?yōu)殚L時(shí)記憶痕跡的必需時(shí)間。
反響回路:1小時(shí)以上的連續(xù)振蕩一起回路的化學(xué)變化,形成穩(wěn)定的長時(shí)記憶痕跡,就不再受電休克的影響。
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